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    品牌: TI
    工作温度: -55℃~150℃
    漏源电压: 12V
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:400+
    商品信息
    参数
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    操作
    TI Mosfet场效应管 CSD13385F5 起订13个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13385F5 起订13个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13385F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:674pF@6V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD83325L 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD83325L 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD83325L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)共漏

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD83325L 起订7个装
    TI Mosfet场效应管 CSD83325L 起订7个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD83325L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.25V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)共漏

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4 起订50个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4 起订50个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13381F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@6V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23381F4 起订55个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23381F4 起订55个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23381F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:1.14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:236pF@6V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:175mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD83325LT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD83325LT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD83325LT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)共漏

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13302WT 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13302WT 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13302WT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:862pF@6V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.1mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4T 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4T 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13381F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@6V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13202Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@6V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23381F4 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23381F4 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23381F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:1.14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:236pF@6V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:175mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13383F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:2.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:291pF@6V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13306W 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13306W 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13306W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:11.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD83325L 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD83325L 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD83325L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)共漏

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13385F5T 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13385F5T 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13385F5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:674pF@6V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13202Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@6V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23285F5T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23285F5T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23285F5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:628pF@6V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD83325L 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD83325L 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD83325L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)共漏

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13303W1015 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13303W1015 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13303W1015

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.65W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:715pF@6V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13302WT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13302WT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13302WT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:862pF@6V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.1mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13380F3T 起订750个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13380F3T 起订750个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13380F3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@6V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23382F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.35nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4T 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4T 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13383F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:291pF@6V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13383F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:291pF@6V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23382F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.35nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23382F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.35nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13380F3 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13380F3 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13380F3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@6V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4T 起订25个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4T 起订25个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13381F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@6V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13380F3T 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13380F3T 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13380F3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@6V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:512pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD13306W 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13306W 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13306W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:11.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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