品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25211W1015
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):CSD25211W1015
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功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):CSD25211W1015
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功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
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栅极电荷:4.1nC@4.5V
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类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@1.5A,4.5V
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功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
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栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@10V
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类型:P沟道
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
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输入电容:570pF@10V
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类型:P沟道
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