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包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13302WT
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：862pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：17.1mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13302WT
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：862pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：17.1mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：CSD13302W
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功率：1.8W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：862pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：17.1mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：CSD13302W
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功率：1.8W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：862pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：17.1mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13302W
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.3V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：862pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：17.1mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13302WT
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：862pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：17.1mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13302W
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
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输入电容：862pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：17.1mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13302W
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：862pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：17.1mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
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功率：2.6W
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ECCN：EAR99
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输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.1V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13302WT
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.3V@250µA
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输入电容：862pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：17.1mΩ@1A，4.5V
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包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13302WT
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：862pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：17.1mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
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功率：2.6W
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连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
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包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13302WT
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
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输入电容：862pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：17.1mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：500}
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13302WT
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
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输入电容：862pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：17.1mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
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输入电容：1370pF@15V
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类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13302W
工作温度：-55℃~150℃
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输入电容：862pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：17.1mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13302W
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
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输入电容：862pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：17.1mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
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输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13302W
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
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类型：N沟道
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漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13302W
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
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连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：17.1mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13302W
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
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类型：N沟道
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
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库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13302WT
工作温度：-55℃~150℃
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库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13302WT
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
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连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：17.1mΩ@1A，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
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输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13302WT
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：862pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：17.1mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
