品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13385F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:674pF@6V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13381F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@6V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13302WT
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:862pF@6V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:17.1mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13381F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@6V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13202Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@6V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13383F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:2.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:291pF@6V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13306W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:11.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:10.2mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13385F5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:674pF@6V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13202Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@6V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13303W1015
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.65W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:715pF@6V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13302WT
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:862pF@6V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:17.1mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13380F3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@6V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13383F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:291pF@6V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13383F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:291pF@6V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13380F3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:1.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@6V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13381F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@6V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13380F3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:1.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@6V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13306W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:11.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:10.2mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13201W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:462pF@6V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13380F3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:1.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@6V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13383F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:291pF@6V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13380F3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@6V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13302W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:862pF@6V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:17.1mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13302W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:862pF@6V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:17.1mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13381F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@6V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13385F5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:674pF@6V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13381F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@6V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13385F5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:674pF@6V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13202Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@6V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13302W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:862pF@6V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:17.1mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: