首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌: TI
    工作温度: -55℃~150℃
    功率: 500mW
    类型: N沟道
    当前匹配商品:400+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    TI Mosfet场效应管 CSD13385F5 起订13个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13385F5 起订13个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13385F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:674pF@6V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD15380F3 起订28个装
    TI Mosfet场效应管 CSD15380F3 起订28个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD15380F3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.35V@2.5µA

    栅极电荷:0.281nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.5pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1190mΩ@100mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17484F4 起订21个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17484F4 起订21个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17484F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@15V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:121mΩ@500mA,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18541F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:777pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4 起订50个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4 起订50个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13381F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@6V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4T 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4T 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13381F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@6V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18541F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:777pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17483F4T 起订14个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17483F4T 起订14个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17483F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@500mA,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13383F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:2.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:291pF@6V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD15380F3 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD15380F3 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD15380F3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.35V@2.5µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.281nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.5pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1190mΩ@100mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17484F4T 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17484F4T 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17484F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.2nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@15V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:121mΩ@500mA,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13385F5T 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13385F5T 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13385F5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:674pF@6V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17382F4T 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17382F4T 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17382F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:347pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@500mA,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17483F4 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17483F4 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17483F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@500mA,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17585F5 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17585F5 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17585F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.7V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@15V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@900mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13380F3T 起订750个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13380F3T 起订750个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13380F3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@6V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17585F5T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17585F5T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17585F5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.7V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@15V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@900mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4T 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4T 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13383F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:291pF@6V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13383F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:291pF@6V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17585F5T 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17585F5T 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17585F5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.7V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@15V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@900mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13380F3 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13380F3 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13380F3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@6V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18541F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:777pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4T 起订25个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4T 起订25个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13381F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@6V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18541F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:777pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13380F3T 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13380F3T 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13380F3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@6V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18541F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:777pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13380F3T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13380F3T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13380F3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@6V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17483F4T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17483F4T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17483F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@500mA,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13383F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:291pF@6V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13380F3 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13380F3 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13380F3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@6V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧