品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25213W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23202W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:512pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25213W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25213W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23202W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25211W1015
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
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输入电容:570pF@10V
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类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25213W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23202W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
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类型:P沟道
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漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23202W10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
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ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:512pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23202W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
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类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23202W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
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输入电容:512pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25213W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25213W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC@4.5V
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输入电容:478pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25213W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23202W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
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连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25211W1015
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
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类型:P沟道
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漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23202W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
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连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23202W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25213W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23202W10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:512pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25211W1015
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23202W10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
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连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25211W1015
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
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连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25213W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23202W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25211W1015
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
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类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25213W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
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类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23202W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25213W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23202W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: