品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25211W1015
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:33mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25310Q2
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.9W
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:655pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
反向传输电容:16.7pF@10V
导通电阻:19.9mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD15380F3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.35V@2.5μA
栅极电荷:281pC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10.5pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.19Ω@100mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16327Q3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:8.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.3nF@12.5V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@24A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13380F3T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250μA
栅极电荷:1.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@6V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13380F3T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250μA
栅极电荷:1.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@6V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17510Q5A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.25nF@15V
连续漏极电流:20A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: