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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM650P02CX RFG 起订3000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM650P02CX RFG 起订3000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM650P02CX RFG

    工作温度:150°C(TJ)

    功率:1.56W(Tc)

    阈值电压:800mV @ 250µA

    栅极电荷:5.1 nC @ 4.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:515 pF @ 10 V

    连续漏极电流:4.1A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:65 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM320N03CX RFG 起订3000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM320N03CX RFG 起订3000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:8.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:792pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM230N06CP ROG

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.68nF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG 起订5000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG 起订5000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150P03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:29.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.829nF@15V

    连续漏极电流:36A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180P03CS RLG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180P03CS RLG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM180P03CS RLG

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.73nF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM650P03CX RFG 起订数12000个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM650P03CX RFG 起订数12000个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:1.56W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:6.4nC@4.5V

    输入电容:810pF@15V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:65mΩ@10V,4A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订数15000个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订数15000个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:150°C(TJ)

    功率:1.56W(Tc)

    阈值电压:800mV @ 250µA

    栅极电荷:4 nC @ 4.5 V

    输入电容:600 pF @ 10 V

    连续漏极电流:6.7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:25 毫欧 @ 4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订数5000个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订数5000个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:28nC@10V

    输入电容:1.68nF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM260P02CX RFG 起订数15000个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM260P02CX RFG 起订数15000个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.56W(Tc)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:19.5 nC @ 4.5 V

    输入电容:1670 pF @ 15 V

    连续漏极电流:6.5A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:26 毫欧 @ 5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM480P06CP ROG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM480P06CP ROG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM480P06CP ROG

    工作温度:-50°C~150°C(TJ)

    功率:66W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250 pF @ 30 V

    连续漏极电流:20A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:48 毫欧 @ 8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订3000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订3000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM240N03CX RFG 起订3000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM240N03CX RFG 起订3000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM240N03CX RFG

    功率:1.56W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:24mΩ@10V,6A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订3000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订3000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG

    工作温度:150°C(TJ)

    功率:1.56W(Tc)

    阈值电压:800mV @ 250µA

    栅极电荷:4 nC @ 4.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600 pF @ 10 V

    连续漏极电流:6.7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:25 毫欧 @ 4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250N02CX RFG 起订3000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250N02CX RFG 起订3000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM250N02CX RFG

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250μA

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:535pF@10V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM650P03CX RFG 起订3000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM650P03CX RFG 起订3000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM650P03CX RFG

    功率:1.56W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:6.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:810pF@15V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:65mΩ@10V,4A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160N10LCR RLG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160N10LCR RLG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM160N10LCR RLG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:73nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.431nF@50V

    连续漏极电流:46A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:16mΩ@8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM280NB06LCR RLG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM280NB06LCR RLG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM280NB06LCR RLG

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:56W€3.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:969pF@30V

    连续漏极电流:28A€7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM340N06CP ROG 起订数7500个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM340N06CP ROG 起订数7500个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:66W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:16.6nC@10V

    输入电容:1.18nF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3443CX6 RFG 起订数9000个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3443CX6 RFG 起订数9000个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    输入电容:640pF@10V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG 起订数15000个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG 起订数15000个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:9.8nC@4.5V€9.1nC@4.5V

    输入电容:677pF@10V€744pF@10V

    连续漏极电流:9A€11.6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:55mΩ@5A,4.5V€30mΩ@6.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2309CX RFG 起订数6000个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2309CX RFG 起订数6000个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:1.56W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:8.2nC@10V

    输入电容:425pF@30V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:190mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CW RPG 起订数1000个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CW RPG 起订数1000个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:4.17W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:9.3nC@10V

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:90mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3443CX6 RFG 起订数10个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3443CX6 RFG 起订数10个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    输入电容:640pF@10V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG 起订数100个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG 起订数100个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),58W(Tc)

    阈值电压:3.8V @ 250µA

    栅极电荷:24nC @ 10V

    输入电容:1398pF @ 30V

    连续漏极电流:6A(Ta),30A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:25 毫欧 @ 6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM130NB06CR RLG 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM130NB06CR RLG 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@30V

    连续漏极电流:10A€51A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM220NB06CR RLG 起订数10个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM220NB06CR RLG 起订数10个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3.1W(Ta),68W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:23 nC @ 10 V

    输入电容:1454 pF @ 30 V

    连续漏极电流:8A(Ta),35A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:22 毫欧 @ 8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04CR RLG 起订数500个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04CR RLG 起订数500个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:56W€3.1W

    阈值电压:3.8V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:1.044nF@20V

    连续漏极电流:10A€41A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CH C5G 起订数10050个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CH C5G 起订数10050个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:39W(Tc)

    阈值电压:4.5V @ 250µA

    栅极电荷:6.1 nC @ 10 V

    输入电容:138 pF @ 25 V

    连续漏极电流:1A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:10 欧姆 @ 500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM040N03CP ROG 起订数10个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM040N03CP ROG 起订数10个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:150°C(TJ)

    功率:88W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:53 nC @ 4.5 V

    输入电容:2200 pF @ 25 V

    连续漏极电流:90A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4 毫欧 @ 24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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