品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM650P02CX RFG
工作温度:150°C(TJ)
功率:1.56W(Tc)
阈值电压:800mV @ 250µA
栅极电荷:5.1 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515 pF @ 10 V
连续漏极电流:4.1A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:65 毫欧 @ 3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:8.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM230N06CP ROG
功率:104W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.68nF@25V
连续漏极电流:34A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150P03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:29.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.829nF@15V
连续漏极电流:36A
类型:1个P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180P03CS RLG
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.73nF@15V
连续漏极电流:10A
类型:1个P沟道
导通电阻:18mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:1.56W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:6.4nC@4.5V
输入电容:810pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:65mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:1.56W(Tc)
阈值电压:800mV @ 250µA
栅极电荷:4 nC @ 4.5 V
输入电容:600 pF @ 10 V
连续漏极电流:6.7A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:25 毫欧 @ 4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:104W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:28nC@10V
输入电容:1.68nF@25V
连续漏极电流:34A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.56W(Tc)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:19.5 nC @ 4.5 V
输入电容:1670 pF @ 15 V
连续漏极电流:6.5A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM480P06CP ROG
工作温度:-50°C~150°C(TJ)
功率:66W(Tc)
阈值电压:2.2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250 pF @ 30 V
连续漏极电流:20A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:48 毫欧 @ 8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM240N03CX RFG
功率:1.56W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG
工作温度:150°C(TJ)
功率:1.56W(Tc)
阈值电压:800mV @ 250µA
栅极电荷:4 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600 pF @ 10 V
连续漏极电流:6.7A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:25 毫欧 @ 4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM250N02CX RFG
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@10V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM650P03CX RFG
功率:1.56W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:6.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:810pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:65mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM160N10LCR RLG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.431nF@50V
连续漏极电流:46A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM280NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:56W€3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:28A€7A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:66W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:16.6nC@10V
输入电容:1.18nF@30V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:9nC@4.5V
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:9.8nC@4.5V€9.1nC@4.5V
输入电容:677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流:9A€11.6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:55mΩ@5A,4.5V€30mΩ@6.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:1.56W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
输入电容:425pF@30V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:190mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:4.17W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:9.3nC@10V
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:90mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:9nC@4.5V
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),58W(Tc)
阈值电压:3.8V @ 250µA
栅极电荷:24nC @ 10V
输入电容:1398pF @ 30V
连续漏极电流:6A(Ta),30A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:25 毫欧 @ 6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2380pF@30V
连续漏极电流:10A€51A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),68W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:23 nC @ 10 V
输入电容:1454 pF @ 30 V
连续漏极电流:8A(Ta),35A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:22 毫欧 @ 8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:56W€3.1W
阈值电压:3.8V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:1.044nF@20V
连续漏极电流:10A€41A
类型:1个N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:39W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:6.1 nC @ 10 V
输入电容:138 pF @ 25 V
连续漏极电流:1A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:10 欧姆 @ 500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:88W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:53 nC @ 4.5 V
输入电容:2200 pF @ 25 V
连续漏极电流:90A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4 毫欧 @ 24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: