采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2306CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4806CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：961pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4806CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：961pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2306CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2306CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2306CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM950N10CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM8N80CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1921pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3446CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKCX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N10CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM850N06CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKCX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123W RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：298mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@50V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@160mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CH X0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N10CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM320N03CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：792pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@100V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@2.85A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.17W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
