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    阈值电压
    栅极电荷
    行业应用
    品牌: Taiwan Semiconductor
    阈值电压: 5V@1mA
    栅极电荷: 7.6nC@10V
    当前匹配商品:3
    商品信息
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NC1R5CH C5G 起订75个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NC1R5CH C5G 起订75个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NC1R5CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:242pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NC1R5CH C5G 起订数525个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NC1R5CH C5G 起订数525个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:7.6nC@10V

    输入电容:242pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NC1R5CH C5G 起订数150个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NC1R5CH C5G 起订数150个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:7.6nC@10V

    输入电容:242pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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