采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
连续漏极电流：21A€121A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
栅极电荷：87nC@10V
阈值电压：3.8V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
输入电容：4917pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
连续漏极电流：21A€121A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
栅极电荷：87nC@10V
阈值电压：3.8V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
输入电容：4917pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
