首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6253pF@30V

    连续漏极电流:16A€107A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM6502CR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1159pF@30V€930pF@30V

    连续漏极电流:24A€18A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM220NB06CR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM220NB06CR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM220NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€68W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1454pF@30V

    连续漏极电流:8A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM250NB06DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€58W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1398pF@30V

    连续漏极电流:6A€30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8588CS RLG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8588CS RLG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM8588CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W€5.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:527pF@30V€436pF@30V

    连续漏极电流:2.5A€5A€2A€4A

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM130NB06CR RLG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM130NB06CR RLG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@30V

    连续漏极电流:10A€51A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6253pF@30V

    连续漏极电流:16A€107A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6253pF@30V

    连续漏极电流:16A€107A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM230N06CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6253pF@30V

    连续漏极电流:16A€107A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG 起订5000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG 起订5000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2193pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6253pF@30V

    连续漏极电流:16A€107A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1009pF@30V

    连续漏极电流:6A€27A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM480P06CP ROG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM480P06CP ROG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM480P06CP ROG

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@30V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS84 RFG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS84 RFG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37pF@30V

    连续漏极电流:150mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@150mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS84 RFG 起订20个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS84 RFG 起订20个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37pF@30V

    连续漏极电流:150mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@150mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS84 RFG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS84 RFG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37pF@30V

    连续漏极电流:150mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@150mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06CP ROG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06CP ROG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM680P06CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@30V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:68mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM230N06PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@20V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06CP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06CP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM680P06CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@30V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:68mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CP ROG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CP ROG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N06CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKCX RFG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKCX RFG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2N7002AKCX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@30V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM850N06CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM050NB06CR RLG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM050NB06CR RLG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM050NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€136W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6904pF@30V

    连续漏极电流:16A€104A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM850N06CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKCX RFG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKCX RFG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2N7002AKCX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@30V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8588CS RLG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8588CS RLG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM8588CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W€5.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:527pF@30V€436pF@30V

    连续漏极电流:2.5A€5A€2A€4A

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM480P06CP ROG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM480P06CP ROG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM480P06CP ROG

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@30V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06CP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06CP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM170N06CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@25V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06CP ROG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06CP ROG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM680P06CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@30V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:68mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧