品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM8568CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:646pF@15V€1089pF@15V
连续漏极电流:15A€13A
类型:N和P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6502CR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1159pF@30V€930pF@30V
连续漏极电流:24A€18A
类型:N和P沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM8568CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:646pF@15V€1089pF@15V
连续漏极电流:15A€13A
类型:N和P沟道
漏源电压:30V
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库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM8568CS RLG
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功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
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输入电容:646pF@15V€1089pF@15V
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类型:N和P沟道
漏源电压:30V
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品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):TSM8568CS RLG
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功率:6W
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类型:N和P沟道
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:6W
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类型:N和P沟道
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):TSM8568CS RLG
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功率:6W
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类型:N和P沟道
漏源电压:30V
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行业应用:工业,汽车
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功率:6W
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类型:N和P沟道
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):TSM6502CR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:24A€18A
类型:N和P沟道
漏源电压:60V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6502CR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:24A€18A
类型:N和P沟道
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品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM8568CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
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连续漏极电流:15A€13A
类型:N和P沟道
漏源电压:30V
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库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM8568CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6502CR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1159pF@30V€930pF@30V
连续漏极电流:24A€18A
类型:N和P沟道
漏源电压:60V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6502CR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1159pF@30V€930pF@30V
连续漏极电流:24A€18A
类型:N和P沟道
漏源电压:60V
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM8568CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
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包装方式:卷带(TR)
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类型:N和P沟道
漏源电压:30V
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品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6502CR RLG
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
连续漏极电流:24A€18A
阈值电压:2.5V@250µA
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漏源电压:60V
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行业应用:工业,汽车
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工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1159pF@30V€930pF@30V
连续漏极电流:24A€18A
类型:N和P沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM8568CS RLG
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:646pF@15V€1089pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
功率:6W
连续漏极电流:15A€13A
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM8568CS RLG
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:646pF@15V€1089pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
功率:6W
连续漏极电流:15A€13A
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM8568CS RLG
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:646pF@15V€1089pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
功率:6W
连续漏极电流:15A€13A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6502CR RLG
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
连续漏极电流:24A€18A
阈值电压:2.5V@250µA
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ECCN:EAR99
漏源电压:60V
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6502CR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1159pF@30V€930pF@30V
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类型:N和P沟道
漏源电压:60V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6502CR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1159pF@30V€930pF@30V
连续漏极电流:24A€18A
类型:N和P沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6502CR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1159pF@30V€930pF@30V
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类型:N和P沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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