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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM220NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1454pF@30V
连续漏极电流：8A€35A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM110NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1443pF@20V
连续漏极电流：12A€54A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM110NB04CR RLG
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栅极电荷：23nC@10V
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输入电容：1443pF@20V
连续漏极电流：12A€54A
类型：N沟道
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漏源电压：40V
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栅极电荷：23nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
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功率：3.1W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
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输入电容：1443pF@20V
连续漏极电流：12A€54A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
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类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
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阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1454pF@30V
连续漏极电流：8A€35A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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栅极电荷：23nC@10V
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类型：N沟道
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栅极电荷：23nC@10V
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输入电容：1443pF@20V
连续漏极电流：12A€54A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
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导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
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阈值电压：4V@250µA
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栅极电荷：23nC@10V
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输入电容：1454pF@30V
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类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
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漏源电压：40V
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栅极电荷：23nC@10V
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栅极电荷：23nC@10V
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输入电容：1443pF@20V
连续漏极电流：12A€54A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：12A€54A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
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