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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM480P06CP ROG
工作温度：-50℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM480P06CP ROG
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功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM500P02DCQ RFG
工作温度：-50℃~150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：50mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM480P06CP ROG
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功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
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输入电容：1250pF@30V
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类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM480P06CP ROG
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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行业应用：工业,汽车
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM500P02DCQ RFG
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功率：620mW
阈值电压：800mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：50mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：66W
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规格型号(MPN)：TSM500P02DCQ RFG
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功率：620mW
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连续漏极电流：4.7A
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导通电阻：50mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM500P02DCQ RFG
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功率：620mW
阈值电压：800mV@250µA
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM480P06CP ROG
工作温度：-50℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM480P06CP ROG
工作温度：-50℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM480P06CP ROG
工作温度：-50℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM480P06CP ROG
工作温度：-50℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM500P02DCQ RFG
功率：620mW
包装方式：卷带（TR）
类型：2个P沟道（双）
输入电容：1230pF@10V
连续漏极电流：4.7A
导通电阻：50mΩ@3A，4.5V
阈值电压：800mV@250µA
漏源电压：20V
工作温度：-50℃~150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM500P02DCQ RFG
工作温度：-50℃~150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：50mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM500P02DCQ RFG
工作温度：-50℃~150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：50mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM480P06CP ROG
工作温度：-50℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM500P02DCQ RFG
工作温度：-50℃~150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：50mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
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