采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02DCQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：775pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02DCQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：775pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM250N02CX RFG
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功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
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栅极电荷：7.7nC@4.5V
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输入电容：535pF@10V
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：TSM250N02DCQ RFG
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功率：620mW
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：775pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：TSM250N02CX RFG
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功率：1.56W
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输入电容：535pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
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连续漏极电流：5.8A
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导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
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规格型号(MPN)：TSM250N02CX RFG
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输入电容：535pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：TSM250N02CX RFG
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连续漏极电流：5.8A
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连续漏极电流：5.8A
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连续漏极电流：5.8A
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输入电容：535pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
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工作温度：150℃
功率：1.56W
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栅极电荷：7.7nC@4.5V
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输入电容：535pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
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漏源电压：20V
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功率：620mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：775pF@10V
连续漏极电流：5.8A
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导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
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连续漏极电流：5.8A
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工作温度：-55℃~150℃
功率：620mW
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连续漏极电流：5.8A
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM250N02DCQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：775pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM250N02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：7.7nC@4.5V
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输入电容：535pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM250N02DCQ RFG
连续漏极电流：5.8A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：775pF@10V
类型：2N沟道（双）
功率：620mW
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漏源电压：20V
ECCN：EAR99
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：1.56W
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栅极电荷：7.7nC@4.5V
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漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：5.8A
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工作温度：150℃
类型：N沟道
栅极电荷：7.7nC@4.5V
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
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ECCN：EAR99
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导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
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功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
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栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：620mW
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM250N02CX RFG
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功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
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输入电容：535pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02DCQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：775pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02CX RFG
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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