品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6968DCA RVG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6968SDCA RVG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.04W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:15nC@4.5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:22mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
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功率:1.04W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:15nC@4.5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:22mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:1.04W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:15nC@4.5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:22mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):TSM6968DCA RVG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.04W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:15nC@4.5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
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工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.04W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:15nC@4.5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:22mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):TSM6968SDCA RVG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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