品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM220NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1454pF@30V
连续漏极电流:8A€35A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2380pF@30V
连续漏极电流:10A€51A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM220NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1454pF@30V
连续漏极电流:8A€35A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2380pF@30V
连续漏极电流:10A€51A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2380pF@30V
连续漏极电流:10A€51A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2380pF@30V
连续漏极电流:10A€51A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM045NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€136W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6870pF@30V
连续漏极电流:16A€104A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2380pF@30V
连续漏极电流:10A€51A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2380pF@30V
连续漏极电流:10A€51A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM220NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1454pF@30V
连续漏极电流:8A€35A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2380pF@30V
连续漏极电流:10A€51A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2380pF@30V
连续漏极电流:10A€51A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM250NB06DCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€48W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1461pF@30V
连续漏极电流:7A€30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2380pF@30V
连续漏极电流:10A€51A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM220NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1454pF@30V
连续漏极电流:8A€35A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2380pF@30V
连续漏极电流:10A€51A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM220NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1454pF@30V
连续漏极电流:8A€35A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM220NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1454pF@30V
连续漏极电流:8A€35A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2380pF@30V
连续漏极电流:10A€51A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM045NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€136W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6870pF@30V
连续漏极电流:16A€104A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A€51A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:36nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€83W
输入电容:2380pF@30V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:13mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A€51A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:36nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€83W
输入电容:2380pF@30V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:13mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM220NB06CR RLG
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
功率:3.1W€68W
漏源电压:60V
栅极电荷:23nC@10V
导通电阻:22mΩ@8A,10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1454pF@30V
连续漏极电流:8A€35A
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM100N06CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4382pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A€51A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:36nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€83W
输入电容:2380pF@30V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:13mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A€51A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:36nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€83W
输入电容:2380pF@30V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:13mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A€51A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:36nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€83W
输入电容:2380pF@30V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:13mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM250NB06DCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€48W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1461pF@30V
连续漏极电流:7A€30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM045NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€136W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6870pF@30V
连续漏极电流:16A€104A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM250NB06DCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€48W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1461pF@30V
连续漏极电流:7A€30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: