采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4946DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@24V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4946DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@24V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4946DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@24V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4946DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@24V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM300NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1079pF@30V
连续漏极电流：6A€25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€48W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1461pF@30V
连续漏极电流：7A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4946DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@24V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4946DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@24V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
