品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM036N03PQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@15V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM060N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:54W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM040N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:53nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM040N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:53nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM060N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:54W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM240N03CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM060N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:54W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1210pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03PQ33 RGG
工作温度:150℃
功率:21W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM042N03CS RLG
工作温度:175℃
功率:7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM060N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:54W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM240N03CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03PQ33 RGG
工作温度:150℃
功率:21W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM040N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:53nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@15V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM060N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:54W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM033NA03CR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@15V
连续漏极电流:129A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM240N03CX6 RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@15V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM080N03PQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:843pF@15V
连续漏极电流:73A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM060N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:54W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1210pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM060N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:54W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM080N03PQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:843pF@15V
连续漏极电流:73A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03PQ33 RGG
工作温度:150℃
功率:21W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM080N03PQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:843pF@15V
连续漏极电流:73A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM060N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:54W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1210pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: