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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2302CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM2302CX RFG
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功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@4.5V
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输入电容：587pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
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输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
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功率：1.25W
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栅极电荷：10nC@10V
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输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
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功率：1.25W
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输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
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漏源电压：40V
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功率：1.25W
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输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
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功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
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栅极电荷：10nC@10V
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输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
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规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
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功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM2302CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@4.5V
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输入电容：587pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM2302CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：TSM2302CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@4.5V
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输入电容：587pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
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功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2302CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
连续漏极电流：3.9A
输入电容：540pF@20V
栅极电荷：10nC@10V
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
阈值电压：3V@250µA
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2302CX RFG
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
类型：N沟道
连续漏极电流：3.9A
栅极电荷：7.8nC@4.5V
导通电阻：65mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2302CX RFG
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
类型：N沟道
连续漏极电流：3.9A
栅极电荷：7.8nC@4.5V
导通电阻：65mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2302CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2302CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@10V
连续漏极电流：3.9A
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导通电阻：65mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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