品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:8.9nC@4.5V
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:8.9nC@4.5V
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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