采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
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功率：40W
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输入电容：680pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
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功率：40W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
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连续漏极电流：50A
类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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漏源电压：30V
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ECCN：EAR99
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM090N03ECP ROG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
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功率：40W
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类型：N沟道
栅极电荷：7.7nC@4.5V
连续漏极电流：50A
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ECCN：EAR99
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM090N03CP ROG
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
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功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：50A
输入电容：750pF@25V
导通电阻：9mΩ@16A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM090N03CP ROG
栅极电荷：45nC@4.5V
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漏源电压：30V
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功率：40W
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类型：N沟道
连续漏极电流：50A
输入电容：750pF@25V
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ECCN：EAR99
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工作温度：150℃
功率：40W
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类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
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功率：40W
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栅极电荷：45nC@4.5V
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连续漏极电流：50A
类型：N沟道
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功率：40W
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连续漏极电流：50A
类型：N沟道
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功率：40W
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类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
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功率：40W
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功率：40W
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输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：150℃
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ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
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输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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销售单位：个
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工作温度：150℃
功率：40W
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栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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