品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150NB04LDCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:966pF@20V
连续漏极电流:8A€37A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150NB04DCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1132pF@20V
连续漏极电流:8A€38A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150NB04LDCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:966pF@20V
连续漏极电流:8A€37A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4936DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@15V
连续漏极电流:5.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@5.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150NB04LDCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:966pF@20V
连续漏极电流:8A€37A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4936DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@15V
连续漏极电流:5.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@5.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150NB04LDCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:966pF@20V
连续漏极电流:8A€37A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:240mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@30V
连续漏极电流:220mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.5Ω@220mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM250N02DCQ RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:620mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:775pF@10V
连续漏极电流:5.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM250N02DCQ RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:620mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:775pF@10V
连续漏极电流:5.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:240mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@30V
连续漏极电流:220mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.5Ω@220mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM250N02DCQ RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:620mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:775pF@10V
连续漏极电流:5.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150NB04LDCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:966pF@20V
连续漏极电流:8A€37A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150NB04LDCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:966pF@20V
连续漏极电流:8A€37A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM250N02DCQ RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:620mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:775pF@10V
连续漏极电流:5.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:240mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@30V
连续漏极电流:220mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.5Ω@220mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM250N02DCQ RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:620mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:775pF@10V
连续漏极电流:5.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150NB04DCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1132pF@20V
连续漏极电流:8A€38A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM300NB06DCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1079pF@30V
连续漏极电流:6A€25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:240mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@30V
连续漏极电流:220mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.5Ω@220mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:240mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@30V
连续漏极电流:220mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.5Ω@220mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150NB04LDCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:966pF@20V
连续漏极电流:8A€37A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:240mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@30V
连续漏极电流:220mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.5Ω@220mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6968DCA RVG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: