采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM024NA04LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4224pF@20V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM033NA04LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@20V
连续漏极电流：141A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N04LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5509pF@20V
连续漏极电流：135A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2118pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2118pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2118pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2118pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：981pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2118pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：981pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2118pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2118pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2118pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM033NA04LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@20V
连续漏极电流：141A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2118pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM024NA04LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4224pF@20V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2118pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：981pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N04LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5509pF@20V
连续漏极电流：135A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N04LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5509pF@20V
连续漏极电流：135A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：981pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2118pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
导通电阻：12mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：70A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：2118pF@30V
漏源电压：60V
功率：125W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N380CP ROG
输入电容：981pF@100V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
漏源电压：700V
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
导通电阻：12mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：70A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：2118pF@30V
漏源电压：60V
功率：125W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：981pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2118pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2118pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM024NA04LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4224pF@20V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N04LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5509pF@20V
连续漏极电流：135A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
