首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌: Taiwan Semiconductor
    工作温度: -55℃~150℃
    阈值电压: 2.5V@250µA
    漏源电压: 30V
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8568CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8568CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM8568CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:646pF@15V€1089pF@15V

    连续漏极电流:15A€13A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM036N03PQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM036N03PQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM036N03PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@15V

    连续漏极电流:124A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG 起订5000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG 起订5000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM085P03CV RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3234pF@15V

    连续漏极电流:64A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM085P03CV RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3234pF@15V

    连续漏极电流:64A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8568CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8568CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM8568CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:646pF@15V€1089pF@15V

    连续漏极电流:15A€13A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG 起订5000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG 起订5000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150P03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:29.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1829pF@15V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM085P03CV RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3234pF@15V

    连续漏极电流:64A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM600P03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM600P03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM600P03CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:9.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@15V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM085P03CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:14W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3216pF@15V

    连续漏极电流:34A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM085P03CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:14W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3216pF@15V

    连续漏极电流:34A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@15V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM033NA03CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM033NA03CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM033NA03CR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@15V

    连续漏极电流:129A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@21A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@15V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03PQ56 RLG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03PQ56 RLG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM080N03PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:843pF@15V

    连续漏极电流:73A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03PQ56 RLG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03PQ56 RLG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM080N03PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:843pF@15V

    连续漏极电流:73A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03PQ56 RLG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03PQ56 RLG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM080N03PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:843pF@15V

    连续漏极电流:73A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM600P03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM600P03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM600P03CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:9.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@15V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM085P03CV RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3234pF@15V

    连续漏极电流:64A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM060N03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM060N03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM060N03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1342pF@15V

    连续漏极电流:62A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM055N03EPQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM055N03EPQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM055N03EPQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:11.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1210pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM060N03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM060N03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM060N03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1342pF@15V

    连续漏极电流:62A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03PQ56 RLG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03PQ56 RLG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM080N03PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:843pF@15V

    连续漏极电流:73A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085N03PQ33 RGG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085N03PQ33 RGG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM085N03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:817pF@15V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150P03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:29.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1829pF@15V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM085P03CV RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3234pF@15V

    连续漏极电流:64A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085N03PQ33 RGG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085N03PQ33 RGG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM085N03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:817pF@15V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150P03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:29.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1829pF@15V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM060N03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM060N03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM060N03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1342pF@15V

    连续漏极电流:62A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@15V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8568CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8568CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM8568CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:646pF@15V€1089pF@15V

    连续漏极电流:15A€13A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧