采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM043NB04CZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4928pF@20V
连续漏极电流：16A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1132pF@20V
连续漏极电流：8A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1132pF@20V
连续漏极电流：8A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1132pF@20V
连续漏极电流：8A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1132pF@20V
连续漏极电流：8A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1132pF@20V
连续漏极电流：8A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1132pF@20V
连续漏极电流：8A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
