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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2307CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：565pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2307CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：565pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2307CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：565pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2307CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：565pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2307CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：565pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：10A
工作温度：150℃
导通电阻：18mΩ@8A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
输入电容：1730pF@15V
类型：P沟道
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：10A
工作温度：150℃
导通电阻：18mΩ@8A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
输入电容：1730pF@15V
类型：P沟道
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
阈值电压：900mV@250µA
连续漏极电流：4.1A
功率：1.56W
栅极电荷：6.4nC@4.5V
类型：P沟道
输入电容：810pF@15V
导通电阻：65mΩ@4A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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