品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H480G4JSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:13.2W
阈值电压:2.8V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@400V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.4A,8V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H070G4LSGB-TR
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H035G4WSQA
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:4.8V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:47.2A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H035G4WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@0V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:46.5A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H150G4LSG
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:52W(Tc)
阈值电压:4.8V @ 500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8 nC @ 10 V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:598 pF @ 400 V
连续漏极电流:13A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:180 毫欧 @ 8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H070G4PS
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H050WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:119W
阈值电压:4.8V@700µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@400V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H070LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4.8V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H150G4PS
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:4.8V
栅极电荷:8nC
包装方式:管件
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:180mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H070G4PS
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:21W
阈值电压:2.6V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@8V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:760pF@400V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:312mΩ@5A,8V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H015G5WS
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:266W(Tc)
阈值电压:4.8V @ 2mA
栅极电荷:100 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:5218 pF @ 400 V
连续漏极电流:93A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:18 毫欧 @ 60A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H480G4JSGB-TR
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3206PS
工作温度:-55℃~175℃
功率:96W
阈值电压:2.6V@500µA
栅极电荷:9.3nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:760pF@480V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,8V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H070LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4.8V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H150BG4JSG-TR
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H480G4JSGB-TR
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:21W
阈值电压:2.6V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@8V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:760pF@400V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:312mΩ@5A,8V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H480G4JSGB-TR
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H070G4LSGB-TR
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H150BG4JSG-TR
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H070LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4.8V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H035G4WSQA
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:4.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:47.2A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H150G4LSG
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:52W(Tc)
阈值电压:4.8V @ 500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8 nC @ 10 V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:598 pF @ 400 V
连续漏极电流:13A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:180 毫欧 @ 8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H070G4LSGB-TR
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H480G4JSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:13.2W
阈值电压:2.8V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@400V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.4A,8V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H035G4WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4.8V@1mA
栅极电荷:22nC@0V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:46.5A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:21W
阈值电压:2.6V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@8V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:760pF@400V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:312mΩ@5A,8V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3206PSB
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:81W(Tc)
阈值电压:2.6V @ 500µA
栅极电荷:6.2 nC @ 4.5 V
包装方式:管件
输入电容:720 pF @ 480 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:180 毫欧 @ 10A,8V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H050WSQA
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4.8V@700µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@400V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: