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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR426DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ494DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1070pF@75V
连续漏极电流：36.8A
类型：N沟道
导通电阻：23.2mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ494DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1070pF@75V
连续漏极电流：36.8A
类型：N沟道
导通电阻：23.2mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ494DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1070pF@75V
连续漏极电流：36.8A
类型：N沟道
导通电阻：23.2mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR426DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR426DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR426DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ494DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1070pF@75V
连续漏极电流：36.8A
类型：N沟道
导通电阻：23.2mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR426DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ494DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1070pF@75V
连续漏极电流：36.8A
类型：N沟道
导通电阻：23.2mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR426DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR426DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR426DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR426DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ494DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1070pF@75V
连续漏极电流：36.8A
类型：N沟道
导通电阻：23.2mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ494DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1070pF@75V
连续漏极电流：36.8A
类型：N沟道
导通电阻：23.2mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR426DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR426DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ494DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1070pF@75V
连续漏极电流：36.8A
类型：N沟道
导通电阻：23.2mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ494DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1070pF@75V
连续漏极电流：36.8A
类型：N沟道
导通电阻：23.2mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
