品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:69.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
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阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
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输入电容:9400pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
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类型:N沟道
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功率:69.4W
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连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
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规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3
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功率:69.4W
阈值电压:2.4V@250µA
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类型:N沟道
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行业应用:工业,汽车
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功率:69.4W
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输入电容:9400pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.4V@250µA
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类型:N沟道
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.4V@250µA
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类型:N沟道
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:69.4W
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
输入电容:9400pF@20V
栅极电荷:182nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:69.4W
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
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栅极电荷:182nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3600pF@100V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:管件
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3600pF@100V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):SIHG47N60AE-GE3
功率:313W
连续漏极电流:43A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:3600pF@100V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
栅极电荷:182nC@10V
导通电阻:65mΩ@24A,10V
包装清单:商品主体 * 1
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