品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7456CDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€35.7W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@50V
连续漏极电流:27.5A
类型:N沟道
导通电阻:23.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@50V
连续漏极电流:15.4A€55.9A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7716ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:846pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@50V
连续漏极电流:15.4A€55.9A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ848EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@20V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ848EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@20V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA817EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€6.5W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@50V
连续漏极电流:15.4A€55.9A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC30ASPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.7W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC30APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7456CDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€35.7W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@50V
连续漏极电流:27.5A
类型:N沟道
导通电阻:23.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC30ASPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR472DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€29.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@13.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@50V
连续漏极电流:15.4A€55.9A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.7W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7716ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:846pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD240N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:783pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4134DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:846pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA817EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€6.5W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC30APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4134DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:846pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4134DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:846pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4134DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:846pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5108DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@50V
连续漏极电流:15.4A€55.9A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ848EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@20V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC30APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4134DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:846pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: