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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
阈值电压：2V
栅极电荷：13nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14.2A
类型：MOSFET
导通电阻：54mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3
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ECCN：EAR99
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类型：MOSFET
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漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3
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连续漏极电流：14.2A
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规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：14.2A
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导通电阻：54mΩ
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行业应用：工业,汽车
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
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栅极电荷：13nC
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连续漏极电流：14.2A
类型：MOSFET
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14.2A
类型：MOSFET
导通电阻：54mΩ
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
阈值电压：2V
栅极电荷：13nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14.2A
类型：MOSFET
导通电阻：54mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
阈值电压：2V
栅极电荷：13nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14.2A
类型：MOSFET
导通电阻：54mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFR9310-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V
栅极电荷：13nC
连续漏极电流：1.8A
类型：MOSFET
导通电阻：7Ω
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3
功率：24W
包装方式：Reel
连续漏极电流：14.2A
栅极电荷：13nC
阈值电压：2V
导通电阻：54mΩ
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14.2A
类型：MOSFET
导通电阻：54mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14.2A
类型：MOSFET
导通电阻：54mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14.2A
类型：MOSFET
导通电阻：54mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFR9310-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V
栅极电荷：13nC
连续漏极电流：1.8A
类型：MOSFET
导通电阻：7Ω
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
阈值电压：2V
栅极电荷：13nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14.2A
类型：MOSFET
导通电阻：54mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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