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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:5W(Ta),38W(Tc)

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470 pF @ 15 V

    连续漏极电流:27A(Ta),60A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:5W(Ta),38W(Tc)

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470 pF @ 15 V

    连续漏极电流:27A(Ta),60A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3

    栅极电荷:32 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:27A(Ta),60A(Tc)

    输入电容:1470 pF @ 15 V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 10A,10V

    功率:5W(Ta),38W(Tc)

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5504BDC-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5504BDC-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5504BDC-T1-E3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.12W,3.1W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:7nC @ 10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF @ 15V

    连续漏极电流:4A,3.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3590DV-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4151DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4151DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4151DY-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.1W(Ta),5.6W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:87 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250 pF @ 15 V

    连续漏极电流:15.2A(Ta),20.5A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:7.5 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-E3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-E3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-E3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.25W(Ta),1.66W(Tc)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:9.6 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350 pF @ 15 V

    连续漏极电流:4.5A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:50 毫欧 @ 3.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA04DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA04DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA04DN-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.7W(Ta),52W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3595 pF @ 15 V

    连续漏极电流:30.9A(Ta),40A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.15 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA04DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA04DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA04DN-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.7W(Ta),52W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3595 pF @ 15 V

    连续漏极电流:30.9A(Ta),40A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.15 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-E3 起订200个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-E3 起订200个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-E3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.25W(Ta),1.66W(Tc)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:9.6 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350 pF @ 15 V

    连续漏极电流:4.5A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:50 毫欧 @ 3.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7997DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7997DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7997DP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:46W

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    栅极电荷:160nC @ 10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6200pF @ 15V

    连续漏极电流:60A

    类型:2 个 P 沟道(双)

    导通电阻:5.5 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7997DP-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7997DP-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7997DP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:46W

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    栅极电荷:160nC @ 10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6200pF @ 15V

    连续漏极电流:60A

    类型:2 个 P 沟道(双)

    导通电阻:5.5 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7997DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7997DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7997DP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:46W

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    栅极电荷:160nC @ 10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6200pF @ 15V

    连续漏极电流:60A

    类型:2 个 P 沟道(双)

    导通电阻:5.5 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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