品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM40014M-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:275nC@10V
输入电容:15.78nF@20V
连续漏极电流:200A
类型:1个N沟道
导通电阻:990mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:394W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:102nC@10V
输入电容:5.75nF@25V
连续漏极电流:372A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:394W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:102nC@10V
输入电容:5.75nF@25V
连续漏极电流:372A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:394W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:102nC@10V
输入电容:5.75nF@25V
连续漏极电流:372A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:394W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:102nC@10V
输入电容:5.75nF@25V
连续漏极电流:372A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10.93nF@20V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.67mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:394W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:102nC@10V
输入电容:5.75nF@25V
连续漏极电流:372A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM40014M-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:275nC@10V
输入电容:15.78nF@20V
连续漏极电流:200A
类型:1个N沟道
导通电阻:990mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR402EP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:7.5W€150W
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:165nC@10V
输入电容:9.1nF@20V
连续漏极电流:291A€65.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10.93nF@20V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.67mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10.93nF@20V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.67mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:394W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:102nC@10V
输入电容:5.75nF@25V
连续漏极电流:372A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:394W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:102nC@10V
输入电容:5.75nF@25V
连续漏极电流:372A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:394W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:102nC@10V
输入电容:5.75nF@25V
连续漏极电流:372A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3
连续漏极电流:372A
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
阈值电压:3.5V@250μA
功率:394W
输入电容:5.75nF@25V
栅极电荷:102nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM40014M-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:275nC@10V
输入电容:15.78nF@20V
连续漏极电流:200A
类型:1个N沟道
导通电阻:990mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM40014M-GE3
栅极电荷:275nC@10V
阈值电压:2.4V@250μA
连续漏极电流:200A
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
工作温度:-55℃~+175℃
输入电容:15.78nF@20V
功率:375W
导通电阻:990mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR402EP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:7.5W€150W
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:165nC@10V
输入电容:9.1nF@20V
连续漏极电流:291A€65.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM40014M-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:275nC@10V
输入电容:15.78nF@20V
连续漏极电流:200A
类型:1个N沟道
导通电阻:990mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10.93nF@20V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.67mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10.93nF@20V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.67mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10.93nF@20V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.67mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10.93nF@20V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.67mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR402EP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:7.5W€150W
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:165nC@10V
输入电容:9.1nF@20V
连续漏极电流:291A€65.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR402EP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:7.5W€150W
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:165nC@10V
输入电容:9.1nF@20V
连续漏极电流:291A€65.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR402EP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:7.5W€150W
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:165nC@10V
输入电容:9.1nF@20V
连续漏极电流:291A€65.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10.93nF@20V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.67mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2318DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2332
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2318CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@20V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:42mΩ@10V,4.3A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:2332
规格型号(MPN):SI2318CDS-T1-GE3
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
导通电阻:42mΩ@10V,4.3A
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:5.6A
输入电容:340pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: