包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：110A

类型：MOSFET

导通电阻：4.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：110A

类型：MOSFET

导通电阻：4.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：110A

类型：MOSFET

导通电阻：4.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：48W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：100nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：131A

类型：MOSFET

导通电阻：1.63mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：34W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：80mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：34W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：80mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ154EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：214W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：43nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：243A

类型：MOSFET

导通电阻：2.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：34W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：80mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：52W

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：40nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：35A

类型：MOSFET

导通电阻：7.6mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：34W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：80mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQ4940AEY-T1_BE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：4W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：43nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：8A

类型：MOSFET

导通电阻：20mΩ€20mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：48W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：100nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：131A

类型：MOSFET

导通电阻：1.63mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：110A

类型：MOSFET

导通电阻：4.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：110A

类型：MOSFET

导通电阻：4.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB44EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：48W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：33.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：5.2mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB44EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：48W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：33.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：5.2mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS486CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：62.5W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：35.2nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ154EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：214W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：43nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：243A

类型：MOSFET

导通电阻：2.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：110A

类型：MOSFET

导通电阻：4.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：110A

类型：MOSFET

导通电阻：4.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：48W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：100nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：131A

类型：MOSFET

导通电阻：1.63mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQM40020EL_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：1.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：108nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：100A

类型：MOSFET

导通电阻：17.8mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：52W

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：40nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：35A

类型：MOSFET

导通电阻：7.6mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：48W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：100nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：131A

类型：MOSFET

导通电阻：1.63mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB44EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：48W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：33.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：5.2mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：48W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：100nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：131A

类型：MOSFET

导通电阻：1.63mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：110A

类型：MOSFET

导通电阻：4.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB44EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：48W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：33.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：5.2mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS486CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：62.5W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：35.2nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS486CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：62.5W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：35.2nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1