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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ340DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W€31W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.5mΩ@15.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF906DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W€83W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V€8200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：16+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4618DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.98W€4.16W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1535pF@15V
连续漏极电流：8A€15.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：17mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ710DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W€48W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@10V
连续漏极电流：16A€35A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：6.8mΩ@19A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SiZ918DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W€100W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@15V
连续漏极电流：16A€28A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ340DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W€31W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.5mΩ@15.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF906DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W€83W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V€8200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4914BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.4A€8A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ918DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W€100W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@15V
连续漏极电流：16A€28A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ704DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：24mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ902DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W€66W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ340DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W€31W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.5mΩ@15.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ340DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W€31W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.5mΩ@15.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ340DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W€31W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.5mΩ@15.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ340DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W€31W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.5mΩ@15.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ710DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W€48W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@10V
连续漏极电流：16A€35A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：6.8mΩ@19A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ902DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W€66W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ340DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：16.7W€31W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.5mΩ@15.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ918DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W€100W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@15V
连续漏极电流：16A€28A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ918DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W€100W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@15V
连续漏极电流：16A€28A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ902DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W€66W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
