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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4896DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4434DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4490DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.85A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4488DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4488DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4488DY-T1-GE3
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功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4896DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4434DY-T1-GE3
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功率：1.56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：SI4490DY-T1-E3
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功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.85A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：SI4896DY-T1-GE3
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功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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规格型号(MPN)：SI4490DY-T1-GE3
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连续漏极电流：2.85A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
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栅极电荷：42nC@10V
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连续漏极电流：2.85A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
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连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
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阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
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连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
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栅极电荷：50nC@10V
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连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
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功率：1.56W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4490DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.85A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4488DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4434DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4896DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4896DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4488DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4434DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4896DY-T1-E3
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功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4488DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4488DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4488DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4488DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
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栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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