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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301BDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.3A€3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1508
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si2301CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.3A€3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.3A€3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301BDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301BDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1517
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：12+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
