品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG20N50C-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2942pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP350LCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@9.6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG20N50C-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2942pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG20N50C-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2942pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR580DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@40V
连续漏极电流:35.8A€146A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA15N60E-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF18N50D-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@9A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR580DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@40V
连续漏极电流:35.8A€146A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP350LCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@9.6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP350LCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@9.6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP18N50C-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:223W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2942pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR580DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@40V
连续漏极电流:35.8A€146A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR804DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP18N50C-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:223W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2942pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR580DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@40V
连续漏极电流:35.8A€146A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG20N50C-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2942pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR804DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP350LCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@9.6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR804DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR580DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@40V
连续漏极电流:35.8A€146A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP18N50C-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:223W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2942pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG20N50C-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2942pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR804DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA15N60E-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA15N60E-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF18N50D-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@9A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR580DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@40V
连续漏极电流:35.8A€146A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR580DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@40V
连续漏极电流:35.8A€146A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP18N50C-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:223W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2942pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR580DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@40V
连续漏极电流:35.8A€146A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: