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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA931DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：445pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA923EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：54mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA921EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：59mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA537EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：28mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：12V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA533EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：34mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA923AEDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：54mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA811ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€6.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：116mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA931DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：445pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA517DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9433BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA906EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@3.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA910EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA533EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：34mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9433BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA527DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI840GLCPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@2.7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA533EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：34mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA537EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：28mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：12V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA906EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@3.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA928DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA929DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：575pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：64mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA817EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€6.5W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA931DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：445pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2316BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
