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    品牌: VISHAY
    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~150℃
    连续漏极电流: 25A
    当前匹配商品:200+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA12ADN-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA12ADN-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA12ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA120N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA120N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA120N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1562pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.5W€31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH26N60E-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH26N60E-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:202W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:116nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2815pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:135mΩ@13A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@1V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.5W€31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP25N40D-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP25N40D-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP25N40D-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1707pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@13A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP125N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP125N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP125N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:179W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1533pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS407DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€33W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:93.8nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2760pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@15.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA12ADN-T1-GE3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA12ADN-T1-GE3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA12ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA12ADN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA12ADN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA12ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:9.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:9.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@1V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA120N60E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA120N60E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA120N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1562pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:9.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@1V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS407DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€33W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:93.8nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2760pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@15.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS407DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€33W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:93.8nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2760pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@15.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@1V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@1V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.5W€31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7172DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7172DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7172DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS407DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€33W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:93.8nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2760pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@15.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订20个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订20个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA12ADN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA12ADN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA12ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP120N60E-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP120N60E-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP120N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:179W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1562pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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