品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH070N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2647pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4154DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4497DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:285nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9685pF@15V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4497DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
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类型:P沟道
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漏源电压:30V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4154DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
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连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@15A,10V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4497DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
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输入电容:9685pF@15V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4497DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:9685pF@15V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4497DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
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ECCN:EAR99
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类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4497DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
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输入电容:9685pF@15V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4154DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH070N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2647pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4154DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4154DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH070N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2647pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4154DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4497DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
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连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH070N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
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连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4497DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
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连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4154DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@15A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4154DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4154DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4497DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:285nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9685pF@15V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH070N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2647pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4154DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4497DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:285nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9685pF@15V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4497DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:285nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9685pF@15V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH070N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2647pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4497DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:285nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9685pF@15V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH070N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2647pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH070N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2647pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: