品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3415pF@10V
连续漏极电流:50.2A€177A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR184DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@30V
连续漏极电流:20.7A€73A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR878BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@50V
连续漏极电流:12A€42.5A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3415pF@10V
连续漏极电流:50.2A€177A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1915pF@20V
连续漏极电流:18.4A€65A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR124DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1666pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR606BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470pF@50V
连续漏极电流:10.9A€38.7A
类型:N沟道
导通电阻:17.4mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR606BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470pF@50V
连续漏极电流:10.9A€38.7A
类型:N沟道
导通电阻:17.4mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1915pF@20V
连续漏极电流:18.4A€65A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3415pF@10V
连续漏极电流:50.2A€177A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR878BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@50V
连续漏极电流:12A€42.5A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR124DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1666pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1915pF@20V
连续漏极电流:18.4A€65A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR606BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470pF@50V
连续漏极电流:10.9A€38.7A
类型:N沟道
导通电阻:17.4mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR876ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1630pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1915pF@20V
连续漏极电流:18.4A€65A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1915pF@20V
连续漏极电流:18.4A€65A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1915pF@20V
连续漏极电流:18.4A€65A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA06DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR876ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1630pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR878BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@50V
连续漏极电流:12A€42.5A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA01DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3490pF@15V
连续漏极电流:26A€60A
类型:P沟道
导通电阻:4.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA06DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3415pF@10V
连续漏极电流:50.2A€177A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA04DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR606BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470pF@50V
连续漏极电流:10.9A€38.7A
类型:N沟道
导通电阻:17.4mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR184DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@30V
连续漏极电流:20.7A€73A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: