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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3430DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3469DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@6.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3469DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@6.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3430DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：375mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1841
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：375mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3469DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@6.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：375mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：375mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3469DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@6.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3469DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@6.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：375mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3430DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3430DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：375mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3430DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：375mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：375mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：375mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3469DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@6.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：375mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3430DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3430DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：375mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：375mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3430DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3469DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@6.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3469DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@6.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3430DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：375mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
