品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:2.65nF@10V
连续漏极电流:30.5A€60A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2.6nF@15V
连续漏极电流:108A€30A
类型:2个N沟道
导通电阻:4mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2.6nF@15V
连续漏极电流:108A€30A
类型:2个N沟道
导通电阻:4mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR402EP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:7.5W€150W
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:165nC@10V
输入电容:9.1nF@20V
连续漏极电流:291A€65.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:2.65nF@10V
连续漏极电流:30.5A€60A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2.6nF@15V
连续漏极电流:108A€30A
类型:2个N沟道
导通电阻:4mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:2.65nF@10V
连续漏极电流:30.5A€60A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF02DN-T1-GE3
阈值电压:2.3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:30.5A€60A
导通电阻:3.5mΩ@7A,10V
输入电容:2.65nF@10V
栅极电荷:56nC@10V
漏源电压:25V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR402EP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:7.5W€150W
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:165nC@10V
输入电容:9.1nF@20V
连续漏极电流:291A€65.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR402EP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:7.5W€150W
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:165nC@10V
输入电容:9.1nF@20V
连续漏极电流:291A€65.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2.6nF@15V
连续漏极电流:108A€30A
类型:2个N沟道
导通电阻:4mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR402EP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:7.5W€150W
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:165nC@10V
输入电容:9.1nF@20V
连续漏极电流:291A€65.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2.6nF@15V
连续漏极电流:108A€30A
类型:2个N沟道
导通电阻:4mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:2.65nF@10V
连续漏极电流:30.5A€60A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:2.65nF@10V
连续漏极电流:30.5A€60A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR402EP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:7.5W€150W
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:165nC@10V
输入电容:9.1nF@20V
连续漏极电流:291A€65.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:2.65nF@10V
连续漏极电流:30.5A€60A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2.6nF@15V
连续漏极电流:108A€30A
类型:2个N沟道
导通电阻:4mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:2.65nF@10V
连续漏极电流:30.5A€60A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:2.65nF@10V
连续漏极电流:30.5A€60A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF02DN-T1-GE3
阈值电压:2.3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:30.5A€60A
导通电阻:3.5mΩ@7A,10V
输入电容:2.65nF@10V
栅极电荷:56nC@10V
漏源电压:25V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:4.37nF@20V
导通电阻:11.7mΩ@10V,15A
阈值电压:2.3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
栅极电荷:135nC@10V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:2.65nF@10V
连续漏极电流:30.5A€60A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: