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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA64EP-T1_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA64EP-T1_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA64EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS40DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS40DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS40DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@50V

    连续漏极电流:36.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS126DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS126DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS126DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1402pF@40V

    连续漏极电流:12A€45.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ186ER-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ186ER-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ186ER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:600W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10552pF@25V

    连续漏极电流:329A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ126EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ126EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ126EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:152nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8095pF@25V

    连续漏极电流:500A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.94mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ904E-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ904E-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ904E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:3.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA64EP-T1_BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA64EP-T1_BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA64EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB42EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB42EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB42EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ418EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ418EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ418EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS481ENW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS481ENW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:385pF@75V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.095Ω@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ140EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ140EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3855pF@25V

    连续漏极电流:266A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA70EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA70EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA70EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@25V

    连续漏极电流:14.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA64EP-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA64EP-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA64EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB42EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB42EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB42EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ152EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ152EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ152EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:114A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ416EP-T1_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ416EP-T1_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ416EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA64EP-T1_BE3 起订15000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA64EP-T1_BE3 起订15000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA64EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA90EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA90EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA90EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7922DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7922DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7922DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:195mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS140ENW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS140ENW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS140ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:197W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3111pF@25V

    连续漏极电流:214A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.53mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS481ENW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS481ENW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:385pF@75V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.095Ω@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2870pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR698DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€23W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@50V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA00EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR698DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€23W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@50V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR698DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€23W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@50V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ152EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ152EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ152EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:114A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR698DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€23W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@50V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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