品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4634DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3150pF@15V
连续漏极电流:24.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1539EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:48pF@15V€50pF@15V
连续漏极电流:850mA
类型:N和P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1539EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:48pF@15V€50pF@15V
连续漏极电流:850mA
类型:N和P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€5.9W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:19.2A
类型:P沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7634BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3150pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4634DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3150pF@15V
连续漏极电流:24.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4634DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3150pF@15V
连续漏极电流:24.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4062DY-T1-GE3
功率:7.8W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3175pF@30V
连续漏极电流:32.1A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€5.9W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:19.2A
类型:P沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4062DY-T1-GE3
功率:7.8W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3175pF@30V
连续漏极电流:32.1A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€5.9W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:19.2A
类型:P沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1539EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:48pF@15V€50pF@15V
连续漏极电流:850mA
类型:N和P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1539EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:48pF@15V€50pF@15V
连续漏极电流:850mA
类型:N和P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€5.9W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:19.2A
类型:P沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1539EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:48pF@15V€50pF@15V
连续漏极电流:850mA
类型:N和P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1539EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:48pF@15V€50pF@15V
连续漏极电流:850mA
类型:N和P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€5.9W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:19.2A
类型:P沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€5.9W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:19.2A
类型:P沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4634DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3150pF@15V
连续漏极电流:24.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4634DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3150pF@15V
连续漏极电流:24.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: