品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3407DV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
功率:4.2W
栅极电荷:63nC@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443CDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:12.4nC@5V
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:5.97A
功率:2W€3.2W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA40DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
输入电容:3415pF@10V
连续漏极电流:43.7A€162A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:1.1mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1469DH-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:80mΩ@2A,10V
栅极电荷:8.5nC@4.5V
输入电容:470pF@10V
类型:P沟道
功率:1.5W€2.78W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9926CDY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8A
输入电容:1200pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@8.3A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3900DV-T1-GE3
导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:2A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6562CDQ-T1-GE3
类型:N和P沟道
导通电阻:22mΩ@5.7A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:1.6W€1.7W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6.7A€6.1A
输入电容:850pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615ADN-T1-GE3
输入电容:5590pF@10V
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:4.4mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-RE3
导通电阻:1.35mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:50.2A€177A
功率:5W€62.5W
输入电容:3415pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1902CDL-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:62pF@10V
功率:300mW€420mW
连续漏极电流:1A€1.1A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:235mΩ@1A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4477DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:4600pF@10V
导通电阻:6.2mΩ@18A,4.5V
类型:P沟道
栅极电荷:190nC@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:3W€6.6W
连续漏极电流:26.6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA938DJT-T1-GE3
功率:1.9W€7.8W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:21.5mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:4.5A€4.5A
类型:2N沟道(双)
输入电容:425pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:5.2W€69W
连续漏极电流:50A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:5125pF@10V
导通电阻:2.3mΩ@15A,10V
栅极电荷:133nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2399DS-T1-GE3
导通电阻:34mΩ@5.1A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
输入电容:835pF@10V
类型:P沟道
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7629DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
栅极电荷:177nC@10V
输入电容:5790pF@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
连续漏极电流:3.9A
输入电容:425pF@10V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:8nC@4.5V
功率:3W
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3
连续漏极电流:12.5A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:27nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3
导通电阻:1.35mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:50.2A€177A
功率:5W€62.5W
输入电容:3415pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH615ADN-T1-GE3
输入电容:5590pF@10V
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:4.4mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3
输入电容:9080pF@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
功率:5W€39W
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:310nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443CDV-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:12.4nC@5V
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:5.97A
功率:2W€3.2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-RE3
导通电阻:1.35mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:50.2A€177A
功率:5W€62.5W
输入电容:3415pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443CDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:12.4nC@5V
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:5.97A
功率:2W€3.2W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3
连续漏极电流:12.5A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
栅极电荷:27nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH615ADN-T1-GE3
输入电容:5590pF@10V
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:4.4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1902CDL-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:62pF@10V
功率:300mW€420mW
连续漏极电流:1A€1.1A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:235mΩ@1A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1902CDL-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.1A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:235mΩ
输入电容:62pF@10V
类型:P-Channel
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:1.5V
功率:420mW
栅极电荷:3nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1902CDL-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:62pF@10V
功率:300mW€420mW
连续漏极电流:1A€1.1A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:235mΩ@1A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2399DS-T1-BE3
导通电阻:34mΩ@5.1A,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
输入电容:835pF@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:5.1A€6A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR404DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:8130pF@10V
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:60A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:1.6mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:97nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: