品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
功率:1.3W€2.5W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@15V
漏源电压:30V
导通电阻:28mΩ@5.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2356DS-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@3.2A,10V
输入电容:370pF@20V
阈值电压:1.5V@250µA
功率:960mW€1.7W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:57mΩ@5.5A,10V
功率:26W
类型:N沟道
输入电容:360pF@50V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:15.1A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
功率:1.3W€2.5W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@15V
漏源电压:30V
导通电阻:28mΩ@5.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2356DS-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@3.2A,10V
输入电容:370pF@20V
阈值电压:1.5V@250µA
功率:960mW€1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:57mΩ@5.5A,10V
功率:26W
类型:N沟道
输入电容:360pF@50V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:15.1A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2356DS-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@3.2A,10V
输入电容:370pF@20V
阈值电压:1.5V@250µA
功率:960mW€1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:57mΩ@5.5A,10V
功率:26W
类型:N沟道
输入电容:360pF@50V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:15.1A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_BE3
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:31mΩ@7.9A,10V
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:553pF@20V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
连续漏极电流:8A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:57mΩ@5.5A,10V
功率:26W
类型:N沟道
输入电容:360pF@50V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:15.1A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2356DS-T1-BE3
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
连续漏极电流:3.2A€4.3A
导通电阻:51mΩ@3.2A,10V
输入电容:370pF@20V
阈值电压:1.5V@250µA
功率:960mW€1.7W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2338DS-T1-BE3
栅极电荷:13nC@10V
功率:1.3W€2.5W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@15V
漏源电压:30V
导通电阻:28mΩ@5.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:5.5A€6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
功率:1.3W€2.5W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@15V
漏源电压:30V
导通电阻:28mΩ@5.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_GE3
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:31mΩ@7.9A,10V
漏源电压:40V
输入电容:555pF@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
连续漏极电流:8A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
功率:1.3W€2.5W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@15V
漏源电压:30V
导通电阻:28mΩ@5.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2356DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@20V
连续漏极电流:3.2A€4.3A
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@3.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2356DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@20V
连续漏极电流:3.2A€4.3A
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@3.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@50V
连续漏极电流:15.1A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@5.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:553pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@7.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@7.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@50V
连续漏极电流:15.1A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@5.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2356DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@20V
连续漏极电流:3.2A€4.3A
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@3.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2356DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@20V
连续漏极电流:3.2A€4.3A
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@3.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2356DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@20V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@3.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: